主要规格及技术指标

1. 衬底规格：8英寸，兼容8寸及以下， 2. 前驱体源：6路源管线单元，支持源瓶快拆，配备臭氧发生器 3. 生长温度： 25~350℃（支持低温氧化物薄膜生长） 4. 真空系统: 真空机械泵，抽速度大于15L\s 5. 加热系统温度控制精度±1℃，温控灵敏度≤0.5℃ 6. 薄膜材料：满足半导体器件级别（HZO等high-k电介质材料，支持HZO薄膜组分掺杂） 7. 薄膜均匀性：6英寸wafer ≤ 1% (Al2O3 ) 8. 其他：工作模式自动，简洁易操作的界面系统，带有异常报警系统及故障指示灯功能。

主要功能及特色

采用独特的模块设计，通过对腔体模块的设计和优化，实现了超高的工艺稳定性，该系列采用单腔横流式和独立源入口设计，从而保证源的利用率并减少了交叉污染，支持全方位的工艺开发，包括在集成电路、微机电系统、光学、化学和工业领域等的应用，且所开发的材料覆盖多种氧化物（例如 SiO2、 HfO2、Al2O3、HZO等）。

主要附件及配置

无