主要规格及技术指标

1，外延室极限真空≤5x10？11Torr，进样室从 1 个标准大气压抽真空达到 1×10？？Torr 的时间≤1 小时 2，外延 4 英寸衬底，外延室衬底温度最高温度不低于 1000°C，预处理室衬底最高温度不低于 800°C； 3，采用电子束源系统，可用于 Si、Ge 表面的 SiGe 单晶薄膜外延，电子束源可拓展数量不少于 3 个； 4，系统配备专业控制软件，提供 SiGe 单晶薄膜外延标准工艺模块； 5，配备腔体烘烤系统，烘烤温度不低于 200°C； 6，不使用氢气、硅烷或锗烷等气体。

主要功能及特色

在 Si、Ge 表面外延生长 SiGe 单晶薄膜。

主要附件及配置

无