1) 真空腔室:SUS304不锈钢,Φ500×H(650~800)mm,水冷,立式前开门结构;真空室内表面及防污板抛光至镜面; 2) 真空系统:复合分子泵(抽速:1600 L/s)+直联旋片泵(抽速14L/s);“两低一高”数显复合真空计(测量范围:1×105Pa~1×10-5Pa); 3) 真空极限:优于6.0×10-5Pa; 4) 抽速:抽至9.0×10-4Pa≤30min; 5) 基片台:标配平板式基片台,抽屉式结构,基片托尺寸:150×150mm,该范围内可装卡各种规格的样品/基片;配有气动挡板,磁流体密封; 旋转:旋转速度0-25转/分连续可调,磁流体密封,光控定位,设定在前门中心位置方便取样; 6) 电子束蒸发源:e型电子枪一支,枪功率10KW;束偏转角270度;配置一套偏转扫描电源,一套电子枪灯丝电源; 7) 速率和膜厚控制系统:采用Inficon薄膜沉积控制器在线监测、控制蒸镀速率和膜厚,1只水冷探头;膜厚仪速率显示分辨率±0.015ā,厚度显示分辨率±0.015kā; 8) 控制方式:PLC+触摸屏手自一体控制; 报警及保护:对分子泵、膜厚仪探头、蒸发电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施;完善的程序互锁、完备的防误操作设计及保护;
该设备用于制备高质量、厚度精确控制的金属(特别是高熔点金属)、氧化物以及化合物薄膜,主要蒸镀材料包括:Au,Ag,Al,Ca,Cu,Cr,Ti,Pt,W等金属单质和SiO2,ZnO,Ta2O5,ITO,TiO2,Al2O3等氧化物薄膜材料。已广泛应用于高校、科研院所制备金属/化合物,/导电薄膜/光学薄膜等。
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