主要规格及技术指标

1.适用晶圆尺寸:6寸及以下晶圆，同时兼容尺寸不小于2cmx2cm 的碎片; 2.适用薄片晶圆:可适用于50um以上厚度的晶圆的激光退火; 3.可接受的翘曲晶圆:可适用于0.5mm以下翘曲度的晶圆的激光退火; 4.晶圆检测功能:具备晶圆厚度测量功能; 5.激光模式:UV-YAG laser，波长 355nm; 6.激光器:Advanced Optowave Corporation 或同档次及以上品牌,输出功率σ/ave:≤3% 7.激光器标准寿命:不短于20000h，维修时更换1aser diode; 8.激光束尺寸:不小于Φ100um±5um; 9.平顶光斑技术:峰值与半峰宽的50%(平顶)处的值偏差<30%. 10.脉冲宽度:<60ns @20kHz; 11.激光检测功能:对激光功率、基板表面能量、激光束图形、脉冲波形进行检测; 12.扫描方法:Galvano 扫描振镜 OPTSWING 式高速拍描; 13.工艺腔室:室温，工艺腔室用N2 或 Ar氛围保护:带有氧气浓度监控，通过软件控 制实现氧气浓度达到100ppm以内才启动工艺的功能;14.生产能力:>6 wph@4inch@光斑在扫描方向上的重叠率 67、行与行之间的重叠率50%; 15.非照射面温度抑制:加工过程中，非照射面的温度≤100℃; 16.选择性退火功能:可通过电脑软件控制，对晶圆/样片进行分区域不同条件选择性激光退火; 17.计算机和操作系统:计算机带有Win7触屏操作面板;18.安全性能:符合SEMI安全准则S2/S8; 工艺要求: 1.激光功率:>10W，σ≤3%(平均值)@20kHz; 2.激光能量密度:最大能量密度≥3.0J/cm2，最小能量密度≤0.5J/cm2，连续可调精度0.05J/cm2; 3.光斑的重叠率和行间间距:重叠率:-15%~99%。行间间距:0%~99%(pitch1mm); 4.光斑的控制精度:照射位置精度±1mm，重复位置精度±0.2mm; 5.非整面欧姆接触金属的退火:对于非整面欧姆接触金属的退火处理，露出的SiC半导体材料不会因为吸收 UV 激光而产生表面损伤或晶体损伤; 6.激光退火片上均匀性:SiC衬底退火后欧姆接触电阻率的分布，片上均性≤±3%;7.激光退火片间均匀性:SiC 衬底退火后欧姆接触电阻率的分布，片间均匀性≤±3%;8.在 SiC 衬底面激光退火可实现的欧姆接触电阻率指标:欧姆接触电阻率≤1x10-Qcm;

主要功能及特色

激光退火

主要附件及配置

无