主要规格及技术指标

1、真空室尺寸：沉积室尺寸：φ500×H400 (㎜) 2、磁控靶数量：3 套 3、适应气体Ar, N2, O2 4、薄膜沉积形式：磁控靶在下样品在上向上沉积方式 5、样品转盘：1 套，加热温度400℃。 6、样品尺寸：≤Φ120mm 7、系统极限真空度：经24 小时连续烘烤后，沉积室真空度：≤7x10-5Pa 8、抽真空系统：分子泵+机械泵系统，并设置旁路抽气 9、系统抽速：从大气开始抽真空，在40 分钟内系统真空度≤7x10-4Pa 10、系统漏率：全系统漏率≤1×10-8Pa L/S，关机12 小时后系统保压≤5 Pa 11、压力控制:自动压力控制0.3～13Pa

主要功能及特色

该系统采用磁控溅射手段在工件表面沉积形成固体薄膜。该设备主要用于镀制各种金属膜、合金膜、半导体膜、铁电薄膜及各种介质膜和掺杂的化合物薄膜。

主要附件及配置

无