主要规格及技术指标

1. 样品腔不小于8英寸，兼容8英寸以下衬底及碎片; 2. 不少于6路刻蚀气体; 3. 最大射频功率不小于250W; 4. 适用于Si、Ge、SiO2、 Si3N4 等材料刻蚀，并包含工艺菜单; 5. Si 刻蚀陡直度不小于85度仰角，刻蚀厚度面内均匀性优于10%。

主要功能及特色

RIE主要是利用等离子体中的活性离子和自由基等粒子对材料表面进行物理和化学刻蚀，实现材料表面的微纳加工，达到去除表面污染、改变表面形貌或制备微纳结构等目的。

主要附件及配置

无