主要规格及技术指标

炉室极限真空度≤6×10e-4 Pa 炉内温度：可达2400℃ 坩埚轴升降行程：200mm 坩埚轴定位精度：0.2mm 工艺控压范围：0-800mbar 氩气、氮气、第三种气体流量范围：0-50L/min、0-30L/min、0-10L/min 气体控制精度：准确度±0.5，重复精度±0.1，响应时间0.2s 冷却水流量：最小值250 L/min 进水温度：25±5℃，最高35℃ 冷却水出水与进水温度差：≤5℃ 温度检测范围：300℃～2500℃

主要功能及特色

温度控制：炉内温度可达2400℃，适用于高温晶体生长过程，并通过双色红外测温仪进行精确的温度测量和控制。 升降调节：坩埚轴和炉顶盖具有精确的升降行程和速度控制，以精确定位坩埚和炉顶盖的位置。 压力调节：通过压力控制系统精确控制炉室内的压力，以适应晶体生长过程中的压力需求。 气体流量控制：能够精确控制氩气、氮气和第三种气体的流量，以提供适宜的气体环境进行晶体生长。 冷却系统管理：配备冷却水系统，以维持设备的稳定运行，并通过温度和流量控制防止过热。 操作控制界面：提供工业平板电脑操作界面，支持触摸屏控制和手动功能操作切换，方便用户进行操作和监控。 紧急电源支持：配备不间断电源(UPS)，以保证在工业停电情况下设备能安全地进行紧急操作，如籽晶上升脱离液面动作。

主要附件及配置

无