主要规格及技术指标

适用晶圆尺寸：8 寸及以下 适用晶圆厚度：1800 微米以下 目标减薄厚度：6寸贴膜保护碳化硅直接减薄至150um以上，在加工及取片过程中无碎裂等意外故障; 研磨方法：6寸碳化硅晶圆采用基板工艺时，减薄至100-150um时，在加工及机台取片过程中无碎裂等意外故障. 操作方法：向下进给式研磨，在线实时测量厚度半自动(即人工放片吸附后其它加工为自动加工)，或者全自动 研磨轴数量：2套(分别用于粗磨和精磨) 研磨轴转速：0-3000rpm(伺服马达控制) 研磨轴轴承：高精密机械式轴承 水箱单元：水循环过滤装置可有效过滤加工产生的废屑，降低废液排放 研磨轴功率：≥7k 研磨轴行程：Z轴上下行程距离 100mm，确保安全可控 研磨轴进给速率：0.1-99.9um/sec(进刀由滚珠丝杠控制，定位由线性光栅尺控制) 吸附台直径：不小于φ300mm 研磨砂轮直径：不小于φ300mm 研磨负载显示：控制面板实时显示负载值，超过设备设定负载值时设备会自动报警并停止运行，设备配置三色指示灯及紧急停止按钮 真空工作台：1个，多孔陶瓷吸附盘 工作台移动速度：0.5-5mm/sec，可以较好地控制移动速度(电机控制) 真空工作台轴承：高形精密机械式轴承 真空工作台转速：0-400rpm，转速可控，加工效率可以自由控制(同服马达控制) 修轮单元数量：2套(分别用于粗磨和精磨) 修轮单元转速：0-3000rpm，转速可控，修盘效率可以自由控制(伺服马达控制) 测厚方式：接触式探针，可以在线实时测量厚度 测厚分辨率：≤0.lμm 测厚重复精度：≤±1μm 控制面板： 主面板 7.4寸PLC触摸屏，用于操作输人，显示研条件 操作面板： 并显示在线实时测量的厚度，最多保存10个工艺条件便于客 户随时调出使用。 减薄速度： 2000#砂轮去除速率不低于18μm/min(粗) 8000#砂轮去除速率不低于6um/min(精)

主要功能及特色

晶圆研磨

主要附件及配置

无