加热方式:等离子体辅助电阻加热;等离子体功率:1000W;等离子体频率:13.56MHz;设备最高功率:40kW;工艺气体:N2、H2、SiH4、NH3、Ar;真空系统抽速:60分钟内真空度<2*10-3Pa;真空系统漏率:停泵关机12小时后真空度≤10Pa;压升率:停泵关机12小时后真空度≤10Pa;可处理宽禁带半导体最大直径:150mm;可处理宽禁带半导体最大厚度:3cm;可实现宽禁带半导体连续加热;降温环境:可自然风冷;可实现紫外光注入冷却;样品台升移动距离:800mm;样品台移动速度:0-1m/s。
对宽禁带半导体实现高温快速退火,减少内部缺陷。
无
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