1、 电源: 380V,100A,50Hz 2、 最高温度:上2300℃ 下2300℃ 3、 控温精度:上±0.5℃ 下±0.5℃ 4、 生长腔尺寸:不小于F 420mm*580mm 5、 最高真空度:5E-6 mbar 6、 系统漏率:≤5E-9 mbar*l/s 7、 工艺气压控制范围:0-960 mbar 8、 工艺气压控制精度:±0.1 mbar 9、 上小法兰升降高度:0-800 mm 10、籽晶升降距离:0-80 mm 11、坩埚旋转速度:0-10 rpm
制备大尺寸低缺陷碳化硅单晶衬底
无
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