(1)沉积腔室本底真空≤ 6×10-5 Pa; (2)设备满足沉积的样品尺寸不小于4英寸; (3)具备20cc电子枪最大功率8 kW; (4)另外同時搭配热阻蒸发,可镀低熔点材料; (5)膜厚均匀性:片内,不同片之间均达到 ≦± 8﹪。
制备半导体器件中需要通过金属连线来连接各种电子元器件并且施加电信号。电子束蒸发设备利用高能电子束进行直接加热蒸发材料,使蒸发材料气化并向基板输运,在基底上形成薄膜。通过配合光刻或直写等图形化工艺形成金属连线,实现半导体器件制备和电路的集成。
无
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