仪器分类
仪器设备 >
先进半导体研究院大仪平台 >
仪器详情
钝化介质等离子体增强化学气相沉积仪
仪器编号
KG231355
规格
4、6吋
生产厂家
Plasma-Therm
型号
TAKACHI PECVD
制造国家
中国
分类号
03060305
放置地点
Array信息港园区3211干法区
出厂日期
2023-10-30
购置日期
2023-10-30
入网日期
2021-12-28
主要规格及技术指标
支持2/3/4/6寸wafer单片加工，温度80℃至350℃可调，实时量测薄膜厚度，准确进行膜厚控制，片内片间均匀性≤2%。SIO2生长速率6-100nm/min可调，SIN生长速率6-20nm/min可调。
主要功能及特色
支持2/3/4/6寸wafer单片加工，温度80℃至350℃可调，实时量测薄膜厚度，准确进行膜厚控制，片内片间均匀性≤2%。SIO2生长速率6-100nm/min可调，SIN生长速率6-20nm/min可调。
主要附件及配置
无
| 公告名称 | 公告内容 | 发布日期 |
|---|
900元/小时
版权所有 © 浙江大学 杭州国际科创中心 访问量: 10773145 系统开发商: 天津市基理科技股份有限公司