主要规格及技术指标

3.1 SiC沟槽深槽刻蚀
刻蚀的特征尺寸：3 μm
刻蚀深度（SiC）：20 μm
刻蚀速率（碳化硅）：> 1000 ？/min, 40% open area
掩膜厚度 / 类型：SiO2
掩膜选择比：> 10:1（SiC : SiO2）
侧壁倾角：85 - 90°
槽底与侧壁粗糙度：< 20nm
顶角圆化深度（用SEM观测）：< 0.1 μm ± 0.02 μm
总的线宽损失 / 没有磨边时的钻蚀：< 0.1μm
3.2 SiC穿孔刻蚀
Via特征尺寸：30 μm * 30 μm
刻蚀深度（SiC）：300 μm
刻蚀速率（SiC）：> 0.9 μm/min (40% open area)
选择比 ：> 30:1(SiC : Ni)

主要功能及特色

碳化硅沟槽刻蚀

主要附件及配置

主机，冷却机，电柜，真空泵