仪器分类
原子层沉积设备
原子层沉积设备
仪器编号
KG251360
规格
TALD-200
生产厂家
嘉兴科民电子设备技术有限公司
型号
TALD-200
制造国家
中国
分类号
03060316
放置地点
Array水博园区A02-101
出厂日期
2025-11-12
购置日期
2025-11-12
入网日期
2025-12-16

主要规格及技术指标

1.腔室:外热式单腔腔室; 2.样品台配有可拆卸片托,可放下最大8英寸晶圆; 3.反应温度:最高150°C,温度控制精度土1°C; 4.2路标准加热液态前驱体源,配置swagelok高温快速ALD阀(响应时间<10ms)手动阀、50ml不锈钢源瓶,源瓶及管路加热温度RT-200°C,控制精度土1°C; 5.1路常温源,配置swagelok快速ALD阀(响应时间

主要功能及特色

原子层沉积主要用于生长超薄的、高致密性、无针孔、高均匀性金属氧化物(如氧化锡,氧化铝)

主要附件及配置

公告名称 公告内容 发布日期