主要规格及技术指标

1.离子光学系统 1)离子源:液态镓离子源 2)分辨率:≤3 nm@30 kV。 3)探针电流:1 pA~65 nA。 4)加速电压:500 V~30 kV。 2.电子光学系统 l)电子枪:肖特基场发射电子枪。 2) 分辨率:0.9 nm@15 kV,1.6nm@1.0kV。 3)加速电压范围:20V~30kV。 4)束流大小:1pA~20 nA。 5)放大倍数范围:1x~2,500,000x(1~16x为光学放大)。 3.样品舱及样品台 1)扩展接口≥24个，可安装多种附件。 2)样品台:5轴全自动样品台，全真空电机驱动。 3)样品台行程:X≥110 mm,Y≥110 mm, Z≥65 mm, T: -10°~+70°, R:360°连续可调。 4)样品舱容积:宽≥380 mm，高≥290 mm，深≥330 mm。 5)真空度:电子枪真空度≤9x10-8Pa;样品仓真空度≤5x10-4Pa。 6)硬件防碰撞模块。 7)最大样品尺寸:直径≥300 mm，高≥70 mm。 8)硬件防碰撞模块。 9)支持三种原子探针模块安装方式。 4.软件 SDK功能 1)高压控制：可设置和读取加速电压等系统参数。 2)电子光学系统控制：可设置和读取束斑大小、扫描放大倍率、聚焦、像散、电子束偏转等电子光学系统参数。 3)位移台控制：可设置和读取位移台X、Y、Z、R、T五轴的位置，及运动状态。 4)真空控制：可读取系统实时真空状态。 5)显示通道和探测系统控制：可设置采集系统的状态，设置亮度和对比度信息。 6)扫描控制：可设置外部扫描，以及扫描分辨率、驻点时间等参数。 7)图像数据获取：可设置启动扫描和获取扫描图像等。 8)自动算法：可触发执行自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散等功能。

主要功能及特色

利用聚焦的离子束对材料表面进行扫描、分析和加工。

主要附件及配置

无