主要规格及技术指标

一、控温采用PID 控制，温度性能稳定，精度高，寿命长，能满足以下要求： 1.1 工艺温度范围: LPCVD:500～800℃ 氧化退火:600～1000℃ 1.2 温度精度： ≤±1℃ 1.3 温度分辨率： 0.1℃ 1.4 炉体最高温度： LPCVD:950℃ 氧化退火:1050℃ 1.5 最大升温速率： 12℃/min 1.6 最大降温速率： 3℃/min -5℃/min 1.7 恒温区： 1.9 控温方式： SPIKE+PROFILE 串级控温，自动执行温度校准并更新到系 统文件。（LPCVD有此功能，氧化退火炉没有） 二、 工艺气体 控制方式Horiba MFC 管号 工艺名称 工艺温度 工艺气体 进气方式 备注 1# （下管） POLY工艺 ≤800℃ N2、SiH4-1、H2、SiH4-2 前法兰进气 两路SiH4单独配置减压阀、过滤器、MFC及气动阀 2# （上管） 氧化退火工艺≤1000℃ N2、O2 石英管尾部进气 控制方式MFC+气动阀 三、 Poly工艺指标： 1、验收生长厚度≥1500 ？； 2、生长速率≥70 ？/min； 3、均匀性测试去边量≤10mm； 4、片内不均匀性≤3%； 5、片间不均匀性≤3%； 6、批间不均匀性≤3%； 四、满足4-6英寸工艺，单管批量处理能力≥10片

主要功能及特色

LPCVD是一种用于生产半导体器件和光电材料的高科技制造设备。它的主要功能 如下： 1. 薄膜生长：LPCVD系统可以在基底上制备出各种半导体材料或其他膜层材 料。在生长过程中，LPCVD系统用精确的压力、温度和气氛控制，以确保 获得所需的膜层质量和厚度。 2. 材料修饰：LPCVD系统也可以在薄膜制备后对其进行后续的加工和修饰。 例如，利用LPCVD系统可以为薄膜进行生物修饰、使其具有特定的化学物 质等等。 3. 硅片清洗：当需要用在制造半导体器件的硅片需要清洗时，LPCVD系统可 以采用真空热分解的方式将硅片表面的有机污染物去除，从而使它们得到 净化。 综上所述，LPCVD主要功能在于制备高质量的薄膜材料和半导体器件，利用其对 材料修饰及硅片清洗方法，使制程更加精细化，从而获得更准确的实验结果，在 半导体、光电材料领域等产生更具创新性的性质，为科学研究和工业生产带来重 要价值。

主要附件及配置

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