主要规格及技术指标

电子束系统(SEM):
电子枪类型:肖特基(ZrO/W)场发射灯丝；
电子束分辨率：0.6 nm@15 kV(最佳工作距离)；
电子束分辨率：0.9 nm@1 kV；
加速电压：最小加速电压 0.2 kV;最大加速电压30 kV；
束流强度：最低束流强度0.8 pA;最大束流强度176 nA；
漂移补偿功能：具备；
具备可加热式自动物镜光阑，光阑孔数量15孔。

离子束系统(FIB)：
离子源种类及数量：采用Ga离子源(液态镓)；
离子束分辨率(双束交叉点)：≤2.5 nm@30 kV；
加速电压：最低加速电压 0.5 kV；最大加速电压30 kV；
离子束束流强度：最低束流强度 0.1pA；最大束流强度 100nA；
具备实时监控离子束加工的功能(边切边看功能)；

气体注入系统；
气体沉积通道：5通道;可在离子束诱导下进行可控沉积；
沉积材料：C、W。

探测器：
样品室二次电子探测器；
镜筒内二次电子及背散射电子探测器；
样品室红外CCD探测器；
配备样品室内彩色光学相机，具备样品导航功能；
电子束束流测量装置。

主要功能及特色

微纳加工、TEM样品、悬臂梁、微柱、纳米针等样品制备

主要附件及配置

无