主要规格及技术指标

1、真空室尺寸：沉积腔室为方型结构，尺寸为长350 mm×宽350 mm×高350 mm ； 2、反应室数量：2台； 3、进样室数量：1台； 4、基片加热：2套，加热温度500℃。 5、RF电极：2套，加热温度200 ℃。 6、样品尺寸：≤Φ110mm； 7、系统极限真空度：经24小时连续烘烤后，沉积室真空度：≤8.0x10-5Pa； 8、抽真空系统：分子泵+机械泵系统，并设置旁路抽气； 9、系统抽速：从大气开始抽真空，在40min内系统真空度≤8.0x10-4Pa； 10、系统漏率：全系统漏率≤1×10-8Pa L/S，关机12小时后系统保压≤5 Pa； 11、反应室排废气系统：2套，罗茨泵+机械泵（涡旋干泵）系统，反应室和机组；之间放置一个高真空挡板阀以保证本底真空获得。 12、反应室压力控制:2套，压力控制13～400Pa，采用MKS薄膜规+MKS蝶阀自动压强控制。

主要功能及特色

该设备系采用上下平板式电容偶合方式，借助于气体辉光放电产生的低温等离子体作用，用于增强反应物质的化学活性，促进气体间化学反应，同时加上离子轰击的强化作用，从而在低温下在工件表面沉积形成固体薄膜。主要适应于现代半导体工业的发展，制取半导体器件表面钝化介质膜（比如制备氮化硅膜）。可用于硅基薄膜太阳电池的研发以及氧化硅和氮化硅等钝化、减反射膜的制备。

主要附件及配置

无