主要规格及技术指标

1、功能:6 寸及以下尺寸碳化硅 SiC 晶圆高温退火工艺,实现离子注入掺杂杂质的激活和注入损伤的修复; 2、设备组成部分需包含:(1)设备主机;(2)加热模块(heater module);(3)晶舟/载盘升降机(boatelevator)(4)机械手臂和自动传片系统(automatic wafer handling system);(5)晶圆装载端口(wafer load port);(6)真空和排气系统(包含干泵一台);(7)冷却水循环系统(cooling watersystem);(8)至少 3 路气体(N2、Ar、CDA)管道及控制系统(clean air flow system);(9)温度监控系统,包括炉管内的热偶元件、闭环控制模块等;(10)SiC、石墨、石英材料的炉管和晶舟(载盘)各一套(SiC, Carbon, Quartz boat and Jigs),以及相配套的零部件;(11)控制系统;(12)计算机、操作系统、软件控制系统和人机交互界面。 3.1、托盘配置:托盘可以容纳最大直径为 150mm(6 寸)的晶圆,可向下兼容 2、4、6 寸整晶圆以及不规则的切片; 3.2、装片量:25 片晶圆+2 片陪片; 3.3、设备退火工艺温度范围:最高可支持不低于 1900℃的工艺温度; 3.4、升温速度:可以设定,最大值不低于 100℃/min; 3.5、温度过冲:≤5℃; 3.6、最长的退火工艺时间:≥60min @ 1900℃ 3.7、(Temp Flat zone length)炉管内恒温区的长度:不小于 125mm@1900℃±5℃; 3.8、温度的稳定性:校准后的实际温度和测量温度误差不超过 5℃,例如 1900℃±5℃/30min; 3.9、温度的可重复性:3 个批次之间温度偏差不超过 2℃,例如 1900℃±2℃/3runs; 3.10、腔体内真空度控制:<10Pa; 3.11、颗粒度控制:每片晶圆上的颗粒度增加量<10 adders(颗粒直径>0.2μm); 3.12、金属沾污控制:腔体金属沾污每种金属含量低于 1.0×1011atoms/cm2; 3.13、片内均匀性σ/Ave:≦3.0%,片间均匀性:≦3.5%,批次间均匀性:≦4.0%; 4.1、 关键零件材料要求:提供关键零部件,包括碳化硅材料、 石墨材料、 石英材料的炉管和晶舟(载盘)各一套。 4.2、设备带有机械手臂,可以自动传片,具有 auto mapping 功能; 4.3、设备配有冷却循环水; 4.4、设备需至少包含 3 路气体(N2、Ar、CDA)管道及控制系统,实现 N2 和 Ar 气氛的退火工艺。氮气流量范围:0.2～10 SLM,流量控制精度±1%,氩气流量范围:0.2～10 SLM,流量控制精度±1%; 4.5、设备需包含运行软件,实时监控及记录工艺过程中的工艺参数变化(包括气体流量和温度);每批样片从工艺开始到结束,均可以完整的记录所有工艺参数的数值变化,可用于不同样片的工艺过程中的参数对比,便于监控及工艺问题分析; 5.1、设备的耗材和配件易维护、易更换; 5.2、提供设备专用维修工具; 5.3、提供标准备件包; 5.4、整机设备不能出现掉漆、生锈、划痕等外观损伤,设备具有较高的稳定性,净化间可用,噪音要求≤80 分贝; 5.5、设备不能漏气(Pressure drop: <0.002Mpa, Monitoring time: 12Hrs, Initial Pressure: ≧0.2MPa),设备不能漏水(Monitoring time: 30min, Water supplying pressure: 0.3MPa); 5.6、Uptime:≥95%; 5.7、平均故障间隔时间(MTBF) ≥720 小时; 5.8、平均修复时间(MTTR)≤4 小时; 5.9、破片率:≤1/10000; 5.10、主要部件(加热器)的寿命:>10 年（质保期内保修，质保期外为非无偿保修对象，一般使用寿命在10年以上。 ） 6.1、 设备针对控制系统配有UPS,发生紧急停电时,加热器和燃气系统将停止,通过back-up控制系统,保护处理中的批次信息,恢复后可追加处理; 6.2、设备带有保护装置,设备带有紧急停止按钮,带有 LED 信号灯/塔

主要功能及特色

碳化硅晶圆退火

主要附件及配置

无