1) 支持4~6英寸的晶圆作业 2) 满足工艺温度:400℃~1050℃ 3)升温速率:10~100℃/sec 4)温度控制重复性:±2℃ 5)温度测量的精确度:±1℃ 6)温度控制均匀性:<5℃ 7)碎片率<1/10000 8)满足SiC与金属接触合金工艺 9)带有至少两路气体通道,可进行N2、O2等气体氛围的高温退火工艺
1) 支持4~6英寸的晶圆作业 2) 满足工艺温度:400℃~1050℃ 3)升温速率:10~100℃/sec 4)温度控制重复性:±2℃ 5)温度测量的精确度:±1℃ 6)温度控制均匀性:<5℃ 7)碎片率<1/10000 8)满足SiC与金属接触合金工艺 9)带有至少两路气体通道,可进行N2、O2等气体氛围的高温退火工艺
无
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