薄膜厚度以及光学常数(n&K)测量,样品台尺寸兼容4/6寸晶圆,可实现mapping功能,并导出图形,起偏臂和检偏臂可独立变化角度测试 1. 厚度重复性: 0.2?(120nm SiO2/Si) 2. 折射率重复性: ±0.002(120nm SiO2/Si) 3. 厚度测试精度: ±0.3nm @120nm SiO2 on Si 4. 折射率测试精度: ±0.003 @120nm SiO2 on Si
该设备用在半导体薄膜工艺的厚度量测,譬如测试二氧化硅,氮化硅,光刻胶等,进而检测工艺的稳定性和均匀性。
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