支持2/3/4/6寸wafer单片加工,温度80℃至350℃可调,实时量测薄膜厚度,准确进行膜厚控制,片内片间均匀性≤2%。SIO2生长速率6-100nm/min可调,SIN生长速率6-20nm/min可调。
无