主要规格及技术指标

3.1 SiC沟槽深槽刻蚀 刻蚀的特征尺寸：3 μm 刻蚀深度（SiC）：20 μm 刻蚀速率（碳化硅）：> 1000 ？/min, 40% open area 掩膜厚度 / 类型：SiO2 掩膜选择比：> 10:1（SiC : SiO2） 侧壁倾角：85 - 90° 槽底与侧壁粗糙度：< 20nm 顶角圆化深度（用SEM观测）：< 0.1 μm ± 0.02 μm 总的线宽损失 / 没有磨边时的钻蚀：< 0.1μm 3.2 SiC穿孔刻蚀 Via特征尺寸：30 μm * 30 μm 刻蚀深度（SiC）：300 μm 刻蚀速率（SiC）：> 0.9 μm/min (40% open area) 选择比 ：> 30:1(SiC : Ni)

主要功能及特色

碳化硅沟槽刻蚀

主要附件及配置

主机，冷却机，电柜，真空泵