主要规格及技术指标

晶片尺寸：六寸及以下兼容，提供碎片载具。 2、ICP 功率不低于 3kW，RF 功率不低于 0.6kW。 3、SiC 材料刻蚀速率不低于 400nm/min。 4、ICP 等离子体浓度不低于 1×1012/cm3 5、ICP 腔室可以通入至少 8 路气体。 6、气体流量在 0~500sccm 范围内可调 7、背电极温度：室温到 80℃范围内可调 8、具备送样室，且具备单片或以上的传输手臂。 9、刻蚀均匀性要求：片内均匀性≤±5%、片间均匀性≤±3%； 10、终点检测 能添加包含能检测氧化层的终点检测模块。 11、满足沟槽深度为 2μm,宽为 0.5μm 的 SiC 沟槽刻蚀，无微沟槽，且侧壁与底部 的粗糙度不高于 1nm。 12、SiC 与二氧化硅掩膜的刻蚀选择比高于 4。 13、满足沟槽深度为 20μm,宽为 3μm 的 SiC 沟槽刻蚀，无微沟槽，且侧壁平滑。 14、具备刻蚀>300μm 碳化硅深槽的能力。

主要功能及特色

感应耦合等离子体刻蚀系统可实现 Si、SiO2、Si3N4 等常规材料的刻蚀，同时可选 配薄膜沉积的功能，并可实现掺杂淀积。ICP 干法刻蚀技术作为微纳加工工艺中的 一种重要的加工方法，具有其他等离子体刻蚀方法如 RIE、ECR 等不具备的优势。 ICP 系统具有两套射频电源，分别对等离子体密度和能量进行解耦控制，通过 ICP 功率的调节，可以改变等离子体的密度，得到较 RIE 更高的等离子体浓度。结合 偏置功率的调整，可以完成高深宽比、高刻蚀速率、高各向异性，高选择比、低 刻蚀损伤的干法刻蚀效果。由于碳化硅半导体材料化学键能强，较难刻蚀，为了 保证刻蚀速率和高深宽比，必须增加 ICP 功率，而本项目拟采购的感应耦合等离 子体刻蚀系统的 ICP 功率可以达到 3kW 以上，保证了较高的等离子体密度，从而 满足本项目基于宽禁带半导体材料的功率芯片的高速率干法刻蚀加工工艺的需 求。

主要附件及配置

主机，冷却机，电柜，真空泵