主要规格及技术指标

1. 光收集效率60%以上，输出光不稳定度≤1%； 2. 光谱分辨率(nm)-PMT：0.08nm，光谱分辨率(nm)-CCD(26um):0.174nm，倒线色散：2.3nm/mm； 3. 阴极光照灵敏度：250μA/Lm，阳极光照灵敏度：1500 A/Lm； 4. 测量范围：350-900nm，时间分辨率（40 ps），低死区时间（45 ns），检测面积：≥50um x 50um，检测效率：≥35% @500 nm； 5. 高度集成的4象限电压/电流源，分辨率6位半，测量分辨率：100fA/100nV，配合采集稳态光谱信号，16 SE/8 DIFF AI通道，±10 V～±0.2 V输入范围，2个16位AO通道，最大采集电流：10A，最大采集电压：40V； 6. 紫外物镜50X，工作范围：240-360nm，工作距离：4mm，NA：0.42，可见物镜40X，工作范围：320-900nm，工作距离：4mm，NA：0.6。

主要功能及特色

实现对宽禁带半导体材料、功率器件等缺陷的荧光强度成像，荧光寿命成像，光电流成像，电致发光成像功能，便于分析缺陷的成因与演变，对后续优化材料制备工艺和器件可靠性提供理论参考。

主要附件及配置

无