最大样品尺寸不小于直径6英寸,兼容承载各种小尺寸片(2", 4")或不规则碎片(最小尺寸不大于1.5 cm×1.5 cm) 配置Ar、O2、CHF3等工艺气体管道; 离子束有效束径≥210mm; 离子束最大束压不低于1500 V,最大束流不低于400mA; 加速电压可调范围:0~2000V; 工件台可旋转,转速可调,转速范围:0-20RPM; 工件台倾斜角度可调,调节范围0~145度,控制精度+/-0.1° 集成法拉第杯用于离子束电流密度测量。 配有光学终点监测系统,用于原位监测刻蚀过程,包括:光谱仪,外部电源,控制计算机,真空组件等实现全自动终点监测。 主要功能及特色 设备功能:可实现基于氩气气体的Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Mo、TiN等金属的刻蚀工艺,以及基于CHF3气体的氧化硅等电介质的刻蚀工艺
最大样品尺寸不小于直径6英寸,兼容承载各种小尺寸片(2", 4")或不规则碎片(最小尺寸不大于1.5 cm×1.5 cm) 配置Ar、O2、CHF3等工艺气体管道; 离子束有效束径≥210mm; 离子束最大束压不低于1500 V,最大束流不低于400mA; 加速电压可调范围:0~2000V; 工件台可旋转,转速可调,转速范围:0-20RPM; 工件台倾斜角度可调,调节范围0~145度,控制精度+/-0.1° 集成法拉第杯用于离子束电流密度测量。 配有光学终点监测系统,用于原位监测刻蚀过程,包括:光谱仪,外部电源,控制计算机,真空组件等实现全自动终点监测。 主要功能及特色 设备功能:可实现基于氩气气体的Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Mo、TiN等金属的刻蚀工艺,以及基于CHF3气体的氧化硅等电介质的刻蚀工艺
电柜,主机,冷却机,真空泵
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