主要规格及技术指标

"1. 电子光学系统：1.1 二次电子分辨率：1.0nm@15kV，1.6nm@1kV（非样品台减速模式下）；1.2 最大放大倍率1,000,000倍（底片放大倍率），根据加速电压和工作距离的改变，改变放大倍数时自动校准；1.3 电子束加速电压：0.02kV~30 kV，步进10V，连续可调；1.4 着陆能量范围（Electron beam landing energy range）：20eV~30keV（非样品台减速模式)；1.5 电子束流：最大束流20nA；1.6 电子枪为肖特基场发射电子枪，电子束束流稳定性优于0.2%/h；1.7 配合能谱分析在35°最佳出射角时，分析工作距离可近到8.5mm；1.8 在1 kV以下，直接对倾斜样品，样品断面，样品边缘或易损伤的不导电样品进行高分辨成像；1.9 可对铁磁性和易磁性材料进行2mm内短距离下，进行底片倍率高于200,000倍的高分辨成像；1.10 可变光阑孔：6孔，光阑孔自动切换，无需移动光阑；1.11 具有双通道模式，可以在同一区域同时进行镜筒内二次电子和背散射两个探测器拍照，得到同区域的二次电子和背散射的图片；2. 样品室及样品台：2.1 样品室：样品室内部尺寸365mm(直径)× 275mm(高)；2.2 可直接放入的样品最大样品尺寸达200mm；2.3 配置五轴优中心马达驱动样品台，移动XY方向最大移动范围：X=125mm，Y=125mm, R=360°（旋转）；2.4 样品台Z方向最大移动范围：Z=50mm，双向倾斜，倾斜范围-10°至90°；"

主要功能及特色

观察拍摄样品微纳结构

主要附件及配置

压缩机，消磁器，防震台，气浮台，温控器，UPS，能谱仪