主要规格及技术指标

1. 工艺腔室系统：提供工艺过程中的密闭环境，包括石英腔、石英liner、以及反应腔中所有的石英和石墨料件等； 2. 工艺腔室系统包含石英腔 1 个，石英进气管 1 套/腔，石墨反应腔室 1 套/腔，石墨托盘 1 个 4 寸、 1 个 6 寸； 3. 石英腔室内压力范围冷态： 8E-5 mbar ~ 1020 mbar，加热： 2E-3 mbar ~ 1020 mbar，腔室漏率(气体面板和反应腔) <5E-9 mbar？L/s； 4. 温度控制系统：采用感应加热系统对石墨腔室进行加热，工艺过程中对温度参数进行控制，包括感应电源（含线圈、电缆、变压器）、温控器（位于系统电气柜）、红外测温探头（含配套的激光笔）等； 5. 气路输送系统： 提供工艺气体，包括工艺气路分配模块、 MFC、气动阀门、水浴恒温器、冒泡瓶等； 6. 压力控制系统：为工艺过程中提供稳定的压力控制，包含蝶阀、分子泵、涡旋泵、真空泵等； 7. 传输模块:用于晶片的传送，，包括机械手、 Load Lock 腔和 WHC 腔等； 8. 晶圆尺寸：可兼容 4 寸和 6 寸碳化硅同质外延生长； 9. 一次生长100 μm厚度的SiC同质外延能力； 10. 产能：≥300片/月(以10 μm厚计算)； 11. 背景掺杂浓度≤1E14 cm-3； 12. n型掺杂浓度从1E15 ~ 1E19 cm-3可控，p型掺杂浓度可控； 13. MFC 校准：误差≤ ±1%； 14. 工艺温度：1600 ~ 1650℃； 15. 6英寸片内厚度均匀性（σ/mean）≤ 1%； 16. 6 英寸片内浓度均匀性小于 6% （均匀性=σ/均值*100%， 33 点，距边 5 mm，浓度在 5E15 cm-3左右）； 17. 表面缺陷≤1/cm2（厚度0 ~ 50 μm），≤ 1.5/cm2（厚度51 ~ 100 μm）； 18. 表面粗糙度≤ 0.3 nm （厚度≤ 30 μm），≤ 0.5 nm（厚度31 ~ 50 μm），≤ 0.8 nm（厚度51 ~ 100 μm）。表面粗糙度测试范围10*10 μm； 19. 高速生长速率≥ 60 μm/h，标准生长速率≥ 30 μm/h； 21. 设备控制系统 21.1 操作权限：提供操作权限分级管理； 21.2 显 示 屏：运行时能实时查看运行情况； 21.3 人机交互：操作界面简洁有序，可通过鼠标、键盘快速查看菜单或设置参数； 21.4 运行方式：客户可选择自动运行或手动运行，手动运行时可单步操作； 21.5 故障：当出现故障时可自动停止运行，且声光报警； 21.6 联机：可以与厂内 MES 系统进行联机，两者可相互访问数据库； 22. 设备工作环境 22.1 温度：23±3℃； 22.2 湿度：45±10RH%； 22.3 洁净等级：装载室放置于洁净室，其它部分放置于灰区； 23. 设备系统要求 23.1 设备满足国际国内安全标准要求； 23.2 采用电脑自动控制系统，工艺过程自动化程度高； 23.3 标准配置中要求提供一份备用的安装软件，需要时可重新安 装，系统控制全面，干扰性强，可靠性高； 23.4 设备集成度高，结构合理紧凑，操作方便；设备运行稳定、 可靠； 23.5 设备运行过程中的功率、温度、气体压力和液体流量、各部 件的动作、故障等全部数据及其变化的过程均可以电子文档 的形式记录在案，方便工艺结束后分析参数并完善工况,实现 生产档案管理； 23.6 各类阀门、仪表运行精确、稳定、可靠； 23.7 有安全显示及系统各部分状态显示模块，可以实时查看系统 运行状态和系统当前安全状态； 23.8 能够保存出厂参数，方便快速恢复出厂设置； 23.9 设备可以实现在线通信的功能； 24. 设备零配件要求：干泵需耐腐蚀，随机配完整随机工具一套（包 含维修或保养需用的特殊工具）； 25. 整机使用可靠性保证： 稼动率（Up Time）：≥ 90%，无故障工 作时间（MTBF）：≥ 500 h； 26. 设备安全要求 26.1 有系统各部分运行状态监控模块和安全指示灯； 26.2 配有电源安全保护装置； 26.3 温度报警系统； 26.4 液体流量异常报警； 26.5 气体、排风压力异常报警系统； 26.6 测量、显示与报警功能：实时对水路、气路、压力等全部参 数进行检测、显示，异常时及时报警，报警上下门限可设置； 26.7 机器将包括紧急停止开关，紧急停止开关一定位于机器的正 面并且容易由操作者使用，且按下后不会造成设备的损坏及 故障。

主要功能及特色

外延生长碳化硅

主要附件及配置

无