1. 电子枪亮度:≥1.8×109 A/cm2 srad (@ 200kV ); 2. 束斑漂移:<0.5 nm/min; 3. 总束流:≥50 nA,分析束流:≥1.5 nA@1nm spotsize; 4. 加速电压: 20 kV – 200 kV,连续可调; 5. TEM模式下信息分辨率:≤0.12 nm; 6. TEM模式放大倍数:25×- 1050 k×; 7. 最大衍射角:≥±12°(半角); 8. 会聚束电子衍射(CBED)最大会聚角:≥100 mrad(半角); 9. 扫描透射(STEM)系统,分辨率:≤0.16 nm; 10. STEM模式放大倍数:310×- 320 M×; 11. 能谱仪能量分辨率:≤136 eV (Mn-Ka);峰背比≥4000,保证极佳的检出限与定量准确性;最大输出计数率:≥800 kcps。
形貌分析:非晶材料的质厚衬度像、多晶材料的衍射衬度像、单晶薄膜的原子像等 结构分析:电子衍射、原子位错、孪晶类型、晶界结构等 成分分析:纳米尺度的微区或晶粒的成分分析
无
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