主要规格及技术指标

1.加工尺寸:Wafer4，6寸。 2.手动装载卸载晶片。 3.晶片厚度测定(1点接触式)自动进行，不包括设定范围外的晶片。 5.研削磨石为直径202mm，厚20mm(可选倒角规格为T型，R型，T&T，T&R) 6.研削盘与晶圆尺寸一一对应，标准附带一个尺寸。 7.有简易的清洗，以去除研削后的晶片上附着的研削水为目的。背面吸附后进行旋转，通过空气和水进行简易清洗 。 8.通过激光传感器在非接触状态下进行定心，极力控制对晶圆造成的损伤。 9.设备尺寸:长2400mm 宽1200mm 高1995mm 10.加工精度:直径 设定值士0.05mm 以内 平面宽度 设定值 土0.5mm以内 OF 方位精度 设定值 士0.05°以内 OF 直线性 10u 以下 真圆度 10 μ 以下 面宽 设定值士30μ以内(根据晶圆翘曲程度变化) 11.中心精度:士0.05mm 以内 12.notch 无法加工。

主要功能及特色

对半导体晶圆进行高精度和高效率的外周研削及 Notch 研削

主要附件及配置

直径精度 ±20μm
面幅精度 ±50μm
结晶方位精度 ±5min
OF 直线精度 10 μm