主要规格及技术指标

"测量对象（1）半导体材料，太阳能电池材料(硅、多晶硅、SiC等)（2）新材料、功能材料(碳纳米管、DLC、石墨烯、银纳米线等)（3）导电薄膜(金属、ITO等)（4）扩散样品(或层)（5）硅相关外延材料、离子注入样品测量尺寸 （1）Size : ~ 8 inch, ~ 156x156mm（2）Thickness : ~ 2mm测量范围（1）V/I Ratio :1m ~ 3M ohm（2）Sheet resistance: 5m ~ 10M ohm/sq（3）Resistivity(Slice:100~2000μm) :1m ~ 300k ohm.cm"

主要功能及特色

测量对象（1）半导体材料，太阳能电池材料(硅、多晶硅、SiC等)（2）新材料、功能材料(碳纳米管、DLC、石墨烯、银纳米线等)（3）导电薄膜(金属、ITO等)（4）扩散样品(或层)（5）硅相关外延材料、离子注入样品

主要附件及配置

（1）探头间距：1mm（2）探头压力：50-650g