主要规格及技术指标

1、满足加工非掺杂晶硅、掺杂多晶硅和 BPSG-硼磷玻璃，以及热氧化和氮气退 火的工艺。 2、 可加工的样品尺寸：2、3、4、6 寸兼容。 3、 产能：满足装载1-25片wafer每炉。 4、 真空系统：最低气压不高于 100mtorr。 5、 恒温区长度 160mm-400mm。 6、 工艺温度分布满足：LPCVD 炉管 300-750°C, 退火和氧化炉管 600-1100°C 7、 膜厚均匀度：LPCVD 炉管中掺杂/非掺杂多晶硅薄膜以及 BPSG-硼磷玻璃薄 膜，片内厚度均匀性σ/average≤±2%、片间厚度均匀性σ/average≤±3%、批次间厚度均匀性σ/average≤±4%。 8、 腔体金属沾污每种金属含量低于 1.0×10^11atoms/cm2。

主要功能及特色

设备包含4个炉管，一根低压炉管用于硼磷硅玻璃生长，一根低压炉管用于多晶硅生长，一根常压炉管用于热氧化，一根常压炉管用于磷扩散和退火。

主要附件及配置

LPCVD(常压POCL3)